HBM供不应求推高DRAM价格 美光于多地扩大产能
AGI的强劲需求推动了高带宽内存(HBM)的供不应求情况,大大推高了DRAM产品的价格。
AGI的强劲需求推动了高带宽内存(HBM)的供不应求情况,该技术在智能手机、个人电脑和数据中心服务器中的广泛应用,导致了动态随机存取内存(DRAM)产品价格的显著上涨。过去三个月来,DRAM的价格首次上涨了8%。
截至2024年5月,DDR4 8Gb的批发价格达到每单位2.10美元,4Gb产品的价格为每单位1.62美元,均环比上涨约8%。
HBM作为主要供应给英伟达(股票代码:NVDA)用于生成式AI GPU的关键组件,其需求强劲直接推动了DRAM市场价格的上涨。一些电子产品经销商指出,HBM的供应短缺严重,无法满足市场需求;另一方面,为了增加HBM的供应量,一些公司减少了传统DRAM的生产,从而推高了传统DRAM的价格。
在此背景下,美光科技(股票代码:MU)正在其位于美国爱达荷州波夕的总部扩建HBM相关的研发设施,包括生产和验证线,并考虑在马来西亚建设新的HBM生产能力。此外,美光在台湾台中的HBM生产基地也正在进行产能扩展,公司设定目标,计划在2025年底前将其HBM市场份额提升至24%-26%,接近其在传统DRAM市场上的份额水平。
根据世界半导体贸易统计协会(WSTS)的预测,全球AI相关投资的持续增长将推动记忆体和部分逻辑晶片的需求大幅增加。因此,WSTS将2024年全球半导体销售额的预估值上调至6,112.31亿美元,年增长率达到16.0%,创下历史新高。此外,WSTS还将2024年全球记忆体销售额的预估值上调至1,631.53亿美元,预计增长率高达76.8%。
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