5月28日消息称，美国芯片巨头美光科技计划在日本广岛县建造一家全新DRAM芯片工厂，最快将于2027年底投入运营，投资总额预计在6,000-8,000亿日元之间（约合38-51亿美元）。

据悉，该工厂的建设将于2026年初正式启动，并将配备先进的极紫外光刻（EUV）设备系统以支持生产，该技术将大幅提高生产效率和产品质量，从而加强日本本国AGI、数据中心和自动驾驶技术的发展。

原本，美光早就有在日建厂的计划，曾希望这座工厂在2024年便可投入使用，并在2025年开始最先进DRAM产品“1γ（Gamma）”的生产，同时开始研发AGI所必须的高宽频记忆体（HBM），但受制于当前市场环境的诸多挑战和不确定性，公司又调整了原定的时间表。

最近几年，基于对过去30年半导体产业领先地位失守的反省，以及国际社会动荡的地缘政治形势，日本政府决定对半导体产业政策进行重大调整，大幅增加了对半导体产业的政策补贴，以期重振其在全球半导体市场中的竞争力和影响力。而此举在日本老龄化日渐加剧之际，也有助于缓和国内不平衡的供需矛盾，逐渐回到技术领先的位置上来。

例如，2023年6月，日本经济产业省重新修订了《半导体和数字产业战略》，宣称其计划到2030年将国产半导体行业销售额提高两倍，至15万亿日元（约合956亿美元）。过去三年里，日本政府已向半导体产业投入了价值约3.9万亿日元（约合257亿美元）的补贴，金额相当于日本GDP的0.71%。

对于美光科技来说，该公司此前就曾对日本进行了多次投资。2023年10月，美光科技宣布将在日本投资超5,000亿日元（约合32亿美元），并引进荷兰公司ASML的极紫外光刻（EUV）设备，用于先进芯片的制造。

与此同时，日本经济产业省则宣布，将为美光科技在广岛工厂的存储芯片项目提供高达1,920亿日元（约合13亿美元）的补贴，以支持其在日研发下一代芯片。其中，大约有1670亿日元（约合11亿美元）将直接补贴至新一代DRAM的生产，金额占美光在广岛工厂生产线资本投资的三分之一；而另外的250亿日元（约合1.6亿美元）将用于支持下一代芯片产品的研究与开发，约占研发费用的一半。

具体来说，日本政府对于美光的补贴为双方创造了实现“双赢”的绝佳环境。一方面，可以增强美光在全球内存芯片市场的地位；另一方面，还可以提升日本未来经济安全所需的尖端芯片供应；最重要的是，新工厂的建成投产将为当地创造大量就业机会，进一步推动日本在半导体领域的实力。

据了解，美光科技作为全球半导体行业的佼佼者，其产品范围涵盖DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器等各类半导体组件及存储器模块，应用于前沿计算、消费品、网络和移动便携设备等各个领域，为全球用户提供了高性能、可靠的存储解决方案。

自2013年收购了日本DRAM大厂Elpida后，美光在日本至今已拥有4,000多名工程师和技术人员。这一新厂的建立将进一步增强公司在该地区的研发和生产能力，不仅如此，还将对日本半导体产业产生深远影响，并有望提升日本在全球半导体市场的竞争力。