10月24日，SK海力士发布截至9月30日的2024财年第三季度财报。

数据显示，SK海力士本季度业绩创下历史新高：营收同比大增94%至17.57万亿韩元；营业利润和净利润分别为7.03万亿韩元和5.75万亿韩元，均实现扭亏为盈；营业利润率为40%，净利润率33%。

分产品来看，DRAM营收占比69%，环比上升3%；NAND营收占比从上季度的31%下滑3个百分点至28%。其中，HBM季内销售额环比增长70%，同比激增330%；eSSD销售额环比增长20%，同比增长430%。

SK海力士表示，三季度业绩主要得益于HBM和eSSD等高附加值产品的销售扩张，DRAM和NAND的盈利能力环比均有所改善——期内DRAM平均售价较第二季上涨15%左右；NAND平均售价环比上涨了10%左右。该公司预计，DRAM的次季度营收占比将从三季度的30%提升至40%。

电话会上，该公司高管指出：“公司本季度业绩打破了有史以来的业绩记录，巩固了全球第一大AI内存公司的地位。我们将继续根据市场需求，采取灵活的产品和供应策略，在确保稳定收入的同时，实现盈利能力最大化。”

今年以来，SK海力士股价累计上涨逾35%，跑赢三星电子和美光科技，在尖端产品HBM（为英伟达AI加速器提供动力）的设计和供应方面，扩大了对竞争对手的领先优势。

第四季度，SK海力士还将向英伟达供应其顶级的12层HBM3E芯片，到明年上半年，HBM3E 12H或将达到HBM3E总出货量的一半。

业内人士表示，在英伟达和其它AI芯片制造商需求飙升的影响下，HBM市场明年将继续强劲增长，SK海力士也因此淡化了市场对于芯片过剩的担忧。市场研究机构TrendForce发布研报称，在英伟达Blackwell GPU的推动下，HBM3E的份额预计将从今年的46%增加到2025年的85%，届时，英伟达将继续主导AI市场，而三星电子、SK海力士和美光科技等主要存储芯片制造商之间的竞争将加剧。

SK海力士DRAM市场营销负责人金圭贤在电话会上表示：“以数据中心客户为中心的AI内存需求仍然强劲，鉴于当前趋势，我们认为目前谈论AI芯片和HBM需求放缓的问题为时尚早。”

资本支出方面，SK海力士副总裁兼首席财务官金宇贤提到，公司今年的资本支出可能超过此前计划，或增加至10万亿韩元以上。

今年，SK海力士宣布了一系列投资计划，其中包括斥资38.7亿美元在美国印第安纳州建设先进的封装工厂和AI产品研究中心，目前还正以146亿美元建设一个全新存储芯片综合设施，并推进其他国内投资，如政府支持的龙仁半导体集群项目。

与SK海力士形成鲜明对比的是，其竞争对手三星在本月早些时候发布预警称，三季度利润将低于市场预期，并为令人失望的表现道歉，承认其在高端芯片供应方面难以取得进展。

目前，三星向英伟达、谷歌、AMD和亚马逊旗下AWS等客户提供HBM3 8H芯片，并向中国公司提供HBM2E芯片，且仍在努力获得英伟达对其HBM3E芯片的批准。

随着三星在HBM领域与竞争对手展开激烈竞争，负责三星半导体业务的DS部门负责人、三星副董事长全永贤扬言称要大幅削减芯片高管职位，并重组半导体相关业务。三星还另外成立了专门的HBM芯片开发团队，并与台积电就HBM4芯片达成合作。