在全球高带宽内存（HBM）需求激增的背景下，为应对人工智能（AI）热潮带来的高需求，美光科技正在扩建其位于美国爱达荷州博伊西总部的HBM测试生产线，并考虑在马来西亚开设生产基地。

此前，美光曾表示，希望到2025年，将公司在HBM市场的份额提高两倍，达到25%左右（当前仅约10%），与其在传统DRAM市场23%至25%的份额基本持平。

HBM是AI芯片的关键组件，但美光在该领域的市场份额远远落后于SK海力士和三星电子。据市场研究公司TrendForce统计，前者的份额超50%，后者为42.4%。

作为全球AI计算芯片的领军供应商，英伟达是该产品的主要消费者。摩根士丹利（Morgan Stanley）称，英伟达在2024年对HBM的采购量占当年全球产量的48%。

英伟达B200芯片组由2个GPU和8个HBM组成，通过多个DRAM芯片的堆叠，HBM使自身性能和效率得以显著提升，芯片间的数据传输速度大大加快，从而提高了芯片算力。

具体来看，HBM DRAM芯片的容量更高、接口更宽，所以生产难度也更大。生产完成后，必须对每个器件进行单独测试，以确保其符合质量、性能和功耗目标。

目前，只有SK 海力士、美光和三星电子有能力生产用于尖端AI芯片的HBM。SK海力士正在美国和韩国扩建生产设施，以提高其生产能力。该公司与美光均获得了英伟达的认证，共同为其H200芯片生产HBM3e。

三星电子则正等待英伟达认证，从而为B200芯片组提供HBM，其不太先进的HBM3和HBM2e目前主要供应给AMD、谷歌和亚马逊。

据了解，美光科技在马来西亚已经建立了芯片组装和测试工厂，使美光马来西亚公司能够提高产量并进一步加强其组装和测试能力，从而能够提供领先的NAND、PCDRAM和SSD模块，满足AI、自动驾驶汽车或电动汽车等变革性技术日益增长的需求。

另外，美光最大的HBM生产基地位于台湾台中，负责生产DRAM模具、测试模具，并组装HBM3E堆栈。目前，该厂也正在扩建之中。

本月早些时候，日媒报道也指出，美光计划投资6,000亿至8,000亿日元在广岛新建一座DRAM工厂，计划于2026年初开工、2027年底前完成厂房建设并投产。初期，该工厂将专注于DRAM的生产，不包括后端封装和测试，重点生产HBM产品。