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美股财报前瞻|美光科技:营收&EPS均低于预期,AI爆发难改供需错配掣肘

即便在AI算力爆发的风口,消费电子占比超70%的DRAM市场表现萎靡。

3月17日,在经历了一轮市场整体回调后,美光科技的股价近期逐渐企稳,上周五单日涨幅超过6%,但其股价仍徘徊在107.82美元的年度均值之下,较2024年末的高点下跌逾15%。这一波动背后,投资者正聚焦于该公司即将发布的2025财年第二季度财报及未来指引。尽管华尔街对AI算力需求驱动的HBM(高带宽内存)及企业级NAND存储业务抱有乐观预期,但消费电子市场的持续疲软与行业库存调整的复杂性,仍为美光的复苏之路蒙上阴影。

业绩预期分化:AI的增量能否对冲消费市场坍塌?

美光在2024年12月发布的第二财季业绩预告中,将营收预期下调至79亿美元,较分析师共识的89.9亿美元低逾10亿美元,同时每股收益(EPS)预期上限1.53美元亦低于市场预期的1.92美元。这一“爆雷”直接导致股价盘后暴跌超16%,并引发美银美林等机构下调评级。核心矛盾在于,尽管数据中心业务收入同比增长400%、HBM收入环比翻倍并首次贡献总营收的50%以上,但智能手机与PC市场需求疲软导致移动业务收入环比骤降19%,汽车与工业领域销售亦同步下滑。这一结构性失衡凸显了存储芯片行业的周期性困境:即便在AI算力爆发的风口,消费电子占比超70%的DRAM市场仍难以摆脱供需错配的掣肘。

HBM:存储巨头的“救命稻草”与竞争暗战

在AI服务器对高性能存储的刚性需求推动下,HBM成为美光突围的关键筹码。当前,单台AI服务器的DRAM用量可达普通服务器的8倍,NAND用量亦为3倍。美光预计,2025年全球HBM市场规模将突破300亿美元,2030年或达千亿美元。其HBM3E产品已导入英伟达H200及Blackwell系统供应链,并计划通过技术迭代(如2025年量产的EUV 1-gamma节点)进一步巩固性能与成本优势。不过,行业竞争格局中,SK海力士凭借先发优势占据HBM市场超50%份额,三星则加速量产12层HBM3E,美光虽市占率提升但仍需直面技术追赶与客户争夺的双重压力。

库存周期与产能博弈:复苏时点的不确定性

美光管理层多次强调,客户库存调整已接近尾声,预计2025财年下半年将迎来需求回暖。但行业数据显示,2024年DRAM与NAND的全年需求增速分别降至5%与低双位数,显著低于长期复合增长率。与此同时,三星与SK海力士的NAND减产(2025年Q1减产超10%)虽缓解了价格下行压力,但美光新加坡工厂的突发断电事件导致NAND供应短缺,并推动其向供应商提价10%以上。这一被动提价策略虽短期提振利润率,却可能延缓库存出清进程,加剧行业复苏节奏的分化。

资本开支与技术卡位:长期主义的代价

为应对行业波动,美光宣布2025财年资本开支达140亿美元,重点投向HBM研发与先进制程(如1-beta DRAM与232层NAND),同时削减传统存储芯片的产能扩张。这一战略折射出存储巨头的两难:既要押注AI驱动的技术升级(如HBM3E与CXL内存),又需避免重蹈2023年价格崩盘导致的库存危机。值得注意的是,美光在QLC NAND与高性能数据中心SSD领域的领先地位(如9400 NVMe SSD)为其赢得了差异化竞争力,但NAND市场整体增速放缓与价格战隐忧仍构成长期风险。

行业展望:结构性分化与估值重构

TrendForce预测,2025年DRAM市场将同比微增,而NAND市场或现下跌,三大存储厂商营收均面临下行压力。在此背景下,美光的估值逻辑正从传统的周期波动转向AI赋能的成长叙事。若其能持续提升HBM市占率(当前不足15%)并优化产品组合,或可部分对冲消费电子颓势,实现利润率的结构性改善。然而,宏观经济的潜在波动、地缘政治对供应链的扰动(如近期新加坡工厂事故),以及AI算力需求能否持续超预期,仍将是左右股价反弹高度的关键变量。

美股财报前瞻|美光科技:营收&EPS均低于预期,AI爆发难改供需错配掣肘

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Gareth
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