美光科技将在日本广岛建设新DRAM工厂，并引入极紫外光刻设备（EUV）。

计划详情

美光科技宣布计划在日本广岛兴建新的DRAM工厂。该工厂将配备极紫外光刻设备（EUV），以制造美光最先进的存储器产品。公司预计在2026年初动工，并在2027年投产。

美光早在2023年宣布将投资高达5,000亿日元（32亿美元）于广岛的EUV设备，但最新消息显示，工厂建设可能会延迟两年。尽管建设延迟，投资金额已增至6,000亿至8,000亿日元，并获得日本政府的资金补助。

先进技术与市场份额

工厂完成后，将生产下一代1-gamma DRAM和适用于生成式AI的HBM。美光希望在2025年达到25%的HBM市场份额。目前，美光科技的市场份额落后于SK海力士和三星，两者的市占率分别为50%和40%。

市场需求与增长

美光的执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana预估，全球DRAM市场每年增长15%，而HBM市场增长速度将是其三倍，预计每年增长40%至50%。这为美光带来了巨大的潜在收益。

政府补助与未来展望

日本经济产业省将承担该工厂建设费用的三分之一，提供高达1,920亿日元（12亿美元）的补助，此外，美光还获得25亿日元（1,590万美元）的补助，用于HBM生产所需的资金。